CASE STUDY

Samsung Semiconductor / NAND Flash experiment

Samsung Semiconductor 삼성전자 반도체

CATEGORY - Science Experiment · Semiconductor · Engineering Communication

Challenge

SSD, USB, 메모리카드 등에 사용되는 NAND Flash는 전원이 꺼져도 데이터를 유지하는 비휘발성 메모리입니다. 하지만 셀 내부에 전자를 저장하는 방식과 전하 트랩 기술, V-NAND의 수직 적층 구조는 눈으로 직접 확인하기 어려워 일반 시청자가 직관적으로 이해하기 쉽지 않은 개념입니다.

Idea

눈에 보이지 않는 전자를 ‘쇠구슬’로, 전자가 저장되는 셀을 실제 모듈로 치환했습니다. 쇠구슬이 특정 공간에 저장되고 유지되는 과정을 통해 NAND Flash의 데이터 저장 원리를 표현하고, 셀을 위로 쌓아 올리는 구조를 통해 V-NAND의 수직 적층 개념을 시각적으로 보여주도록 설계했습니다.

Experiment / Build

NAND Flash의 동작을 실제 움직임으로 확인할 수 있도록 쇠구슬과 모듈을 이용한 아날로그식 실험 장치를 제작했습니다. 전자가 저장층에 머무르는 전하 트랩 원리를 물리적인 구조로 구현하고, 동일한 셀 구조를 수직으로 확장해 V-NAND가 제한된 면적에서 더 높은 집적도를 구현하는 방식을 실험으로 재현했습니다.

Creator Role

콘텐츠 기획부터 실험 방식 설계, 장치 구조 설계와 제작, 테스트 및 출연까지 제작 과정을 진행했습니다. 반도체 내부에서 일어나는 보이지 않는 현상을 실제 물체와 움직임으로 치환해 시청자가 원리를 직관적으로 이해할 수 있도록 콘텐츠를 구성했습니다.

Result